Synthesis and Interfacial Electron Transfer of a Composite Film of Graphene and AMT

Solar energy is a renewable energy, hydrogen production with that is expected to solve the current common problems of energy shortage and environmental pollution, which has been widespread concerned. In many semiconductor photocatalytic hydrogen production materials, tungsten oxide become a hot research materials in the photocatalytic field due to its stable performance and low cost, but its optical electronic - holes are so easy to combine that restrict the photoelectric device performance. In order to improve the photoelectric conversion performance of the tungsten oxide, the domestic and international researchers carried out a number of explorations. Currently, common methods are semiconductor compound, noble metal deposition, surface sensitization, ion doping.

With ammonium metatungstate as tungsten source, PVP as binding agents, use dip-coating method to prepare graphene - tungsten oxide composite films, using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and Raman spectroscopy methods such as composite structure were characterized by light and current test, electrochemical impedance spectroscopy (EIS), transient photocurrent spectrum and intensity modulated photocurrent spectroscopy methods to study complex film electrode interface at a photoelectric effect carriers transfer process and a charge transport behavior. The results show that the composition of the film and the tungsten oxide nanoparticles are graphene fully complex, significantly improved photoelectric properties; graphene composite after the transient time constant of the film is increased, the electron - hole pairs life expectancy; electron transport time is reduced, as 47.5% of pure tungsten oxide film.